电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1KSMB18ATGTRTB

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小400KB,共6页
制造商Fagor Electrónica
标准
下载文档 详细参数 全文预览

1KSMB18ATGTRTB概述

Trans Voltage Suppressor Diode,

1KSMB18ATGTRTB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
峰值回流温度(摄氏度)260
端子面层Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
1KSMB6V8A TG ........... 1KSMB200A TG
1KSMB6V8CA TG ...... 1KSMB200CA TG
1000 W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
Voltage
6.8 V to 200 V (Uni)
6.8 V to 200 V (Bid)
Power
1000 W /ms
800 W /ms
R
DO-214AA (SMB)
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• 1000 W peak pulse power capability with a
10/1000 µs waveform, repetitive rate (duty
cycle): 0.01 % for Unidirectionals
• Excellent clamping capability
• Very fast response time
• Low incremental surge resistance
• Available in uni-directional and bi-directional
• Solder dip 260ºC, 10s
• AEC-Q101 qualified
• Component in accordance to RoHS 2011/65/EU
and WEEE 2002/96/EC
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 260º C
MECHANICAL DATA
• Case
:
DO-214AA (SMB). Epoxy meets UL 94V-0
flammability rating.
• Polarity
:
For unidirectional types color band denotes
cathode end. No marking on bidirectional types.
• Terminals
:
Matte tin plated leads, solderable per
MIL-STD-750 Method 2026, J-STD-002 and JESD22-B102.
Consumer grade, meets JESD 201 class 1A whisker test.
HE3 suffix for high reliability grade, meets JESD 201
class 2 whisker test.
TYPICAL APPLICATIONS
Used in sensitive electronics protection against voltage
transients induced by inductive load switching and lighting
on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units for consumer,
computer, industrial, automotive and telecommunication.
Maximun Ratings and Electrical Characteristics at 25°C
P
PPM
I
FSM
Peak Pulse Power Dissipation
with 10/1000 µs exponential pulse
Unid.
Bid.
1000 W
800 W
100 A
3.5 V
– 65 to + 150 °C
– 65 to + 150 °C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms.
(Note 1)
(Jedec Method)
(Note 2)
Max. forward voltage drop
at I
F
= 50 A
Operating temperature range
Storage temperature range
(Note 1)
V
F
T
j
T
stg
Notes: 1. Only for Unidirectional
2. Mounted on 0.31 x 0.31" (8.0 x 8.0 mm) copper pads to each terminal
www.fagorelectronica.com
Document Name: 1ksmbtg
Version: Nov-14
Page Number: 1/6
【Altera SOC体验之旅】玩转SOC板之VGA模块
Soc kit开发板上的资源很丰富,有VGA,DDR3,OLED,以太网,audio,uart等,趁有空,我们就把这些模块都跑一遍。 驱动VGA的目的也是为了下一篇使用DDR3,通过DDR3缓存数据再来驱动led液 ......
rowen800 FPGA/CPLD
【高分求问,十万火急】谁研究过将ADS1.2编译的库和arm-elf-gcc编译的库混编(互相调用)的问题???
如题,最近被要求研究ADS1.2和arm-elf-gcc 两种编译器编译的库能否链接在一起工作和调试的问题; 也就是EABI的问题,我研究了一会,似乎gcc编译的库是EABI2.0 而ads编译的库EABI的版本号是0啊 ......
yuhongcai11 ARM技术
用一堆开关做成一个CPU?
几乎每天都会开灯关灯,但这简单的开关却是组成CPU的基本单元。 分享本文,来看下怎么构建CPU这个非0即1的开关世界。 从晶体管到门电路 上世纪出现了晶体管这个小而伟大的发明。 ......
可乐zzZ 单片机
通过FOTA升级跟上物联网的脚步
据国际数据公司IDC预计,到2020年,能实现连网的设备将达到近300亿台,从家用电器到可穿戴设备,从功能性设施到车载服务系统。这就是物联网(lOT)。随着设备数量的持续增加,移动产业所承载的 ......
azhiking 无线连接
FlashLoaderDemo烧写不了
用kei for arm 3.8a生成hex文件时358k,而开发板上的机子ROM容量是128k,怎么烧的进去? 即使是hex文件容量是120k,还是会有在烧写的时候会出现address not allowed?...
核桃佳子 stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2111  2127  2768  1310  1220  56  58  40  5  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved