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IDT70V25L25J8

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84
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文件大小207KB,共25页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V25L25J8概述

Dual-Port SRAM, 8KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, 1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84

IDT70V25L25J8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码LCC
包装说明1.150 X 1.150 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-84
针数84
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
其他特性INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J84
JESD-609代码e0
长度29.3116 mm
内存密度131072 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量84
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX16
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC84,1.2SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.0025 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距2.54 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度29.3116 mm
Base Number Matches1
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