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EDI8F8512C70BSC

产品描述SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS,
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文件大小176KB,共8页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI8F8512C70BSC概述

SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS,

EDI8F8512C70BSC规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUT OUTPUT
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-T36
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码SIP36
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.005 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1
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