JANTX2N7334PBF,JANTX2N7334PBF pdf中文资料,JANTX2N7334PBF引脚图,JANTX2N7334PBF电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTX2N7334PBF

JANTX2N7334PBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小267KB，共7页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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JANTX2N7334PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14

JANTX2N7334PBF规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	IN-LINE, R-CDIP-T14
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	75 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	1 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-036AB
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
元件数量	4
端子数量	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	4 A
认证状态	Not Qualified
参考标准	MIL-19500
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

JANTX2N7334PBF相似产品对比

	JANTX2N7334PBF	IRFG110PBF	JANTXV2N7334PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE-14
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	IN-LINE, R-CDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14
针数	36	36	36
Reach Compliance Code	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	75 mJ	75 mJ	75 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	1 A	1 A	1 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω	0.8 Ω	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-036AB	MO-036AB	MO-036AB
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
元件数量	4	4	4
端子数量	14	14	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	4 A	4 A	4 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1
参考标准	MIL-19500	-	MIL-19500

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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