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BZV55-F3V6

产品描述Zener Diode, 3.6V V(Z), 3%, 0.5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小294KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BZV55-F3V6概述

Zener Diode, 3.6V V(Z), 3%, 0.5W,

BZV55-F3V6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗100 Ω
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量1
最高工作温度200 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压3.6 V
表面贴装YES
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
最大电压容差3%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
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BZV55 SERIES
ZENER DIODES
Mini-MELF
FEATURES
Silicon Planar Power Zener Diodes
.063 (1.6)
.055 (1.4)
Cathode Mark
For use as low voltage stabilizer or
voltage reference.
The Zener voltages are graded according to the
international E 24 standard. Higher Zener voltages
and 1% tolerance available on request.
Diodes available in these tolerance series:
±
2% BZV55-B,
±
3% BZV55-F,
±
5% BZV55-C.
MECHANICAL DATA
Case:
Mini-MELF Glass Case (SOD-80)
Weight:
approx. 0.05 g
Cathode band color:
Blue
.142 (3.6)
.134 (3.4)
.019 (0.48)
.011 (0.28)
Dimensions are in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
VALUE
UNIT
Zener Current see Table “Characteristics”
Power Dissipation at T
flange
= 50°C
Power Dissipation at T
A
= 50°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Continuous Forward Current
Peak reverse power disipation (non-repetitive) tp=100µs
P
tot
P
tot
T
j
T
S
I
F
P
ZSM
500
400
(1)
mW
mW
°C
°C
mA
W
–65 to +200
–65 to +200
250
30
(2)
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Thermal Resistance Junction to Lead
Forward Voltage at I
F
= 10 mA
R
thJA
R
thJL
V
F
0.38
0.9
(1)
K/mW
K/mW
V
0.30
NOTES:
1) Mounted on ceramic substrate 10mm x 10mm x 0.6mm
2) Tj = 150°C
9/29/98
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