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SN75423N-90

产品描述High-Voltage High-Current Darlington Transistor Arrays 18-PDIP 0 to 85
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小113KB,共7页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SN75423N-90概述

High-Voltage High-Current Darlington Transistor Arrays 18-PDIP 0 to 85

SN75423N-90规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅含铅
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-18
针数18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-PDIP-T18
元件数量8
端子数量18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

SN75423N-90相似产品对比

SN75423N-90 SN75423N
描述 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Arrays 18-PDIP 0 to 85 High-Voltage High-Current Darlington Transistor Arrays 18-PDIP 0 to 85
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 含铅 含铅
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP DIP
包装说明 PLASTIC, DIP-18 PLASTIC, DIP-18
针数 18 18
Reach Compliance Code unknown not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V
配置 COMPLEX COMPLEX
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PDIP-T18
元件数量 8 8
端子数量 18 18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

 
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