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GS816136D-200

产品描述Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小941KB,共36页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS816136D-200概述

Cache SRAM, 512KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165

GS816136D-200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 3.3V SUPPLY
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量165
字数524288 words
字数代码512000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流2.3 V
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm
Base Number Matches1
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