Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFR024TRLPBF

IRFR024TRLPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小172KB，共6页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRFR024TRLPBF在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	IRFR024TRLPBF	-	-	点击查看	点击购买

IRFR024TRLPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

IRFR024TRLPBF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	91 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	14 A
最大漏极电流 (ID)	14 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	42 W
最大功率耗散 (Abs)	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IRFR024TRLPBF相似产品对比

	IRFR024TRLPBF	IRFR024TRPBF	IRFU024PBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	60 V	60 V	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	14 A	14 A	15 A
最大漏极电流 (ID)	14 A	14 A	14 A
最大漏源导通电阻	0.1 Ω	0.1 Ω	0.1 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-252AA	TO-251AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	42 W	42 W	42 W
最大功率耗散 (Abs)	42 W	42 W	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A	64 A	56 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	NO
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1
雪崩能效等级（Eas）	91 mJ	-	91 mJ

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多