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259RW30

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 390000mA I(T), 300V V(DRM)
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小78KB,共1页
制造商Nihon Inter Electronics Corporation
官网地址http://www.niec.co.jp
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259RW30概述

Silicon Controlled Rectifier, 390000mA I(T), 300V V(DRM)

259RW30规格参数

参数名称属性值
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大直流栅极触发电流100 mA
最大直流栅极触发电压2.5 V
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大漏电流20 mA
通态非重复峰值电流4500 A
端子数量1
最大通态电流390000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-45 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
断态重复峰值电压300 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1
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