EEPROM, 32KX8, 85ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, SOP28,.4 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 85 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.3 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP28,.4 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
页面大小 | 64 words |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.5 mm |
最大待机电流 | 0.00002 A |
最大压摆率 | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | YES |
宽度 | 8.4 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
Base Number Matches | 1 |
HN58C256AFPI-85 | HN58C256ATI-10 | HN58C256AFPI-10 | HN58C256ATI-85 | |
---|---|---|---|---|
描述 | EEPROM, 32KX8, 85ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28 | EEPROM, 32KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 | EEPROM, 32KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28 | EEPROM, 32KX8, 85ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
零件包装代码 | SOIC | TSOP | SOIC | TSOP |
包装说明 | SOP, SOP28,.4 | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | SOP, SOP28,.4 | TSOP1, TSSOP28,.53,22 |
针数 | 28 | 28 | 28 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 85 ns | 100 ns | 100 ns | 85 ns |
命令用户界面 | NO | NO | NO | NO |
数据轮询 | YES | YES | YES | YES |
耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 |
长度 | 18.3 mm | 11.8 mm | 18.3 mm | 11.8 mm |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | TSOP1 | SOP | TSOP1 |
封装等效代码 | SOP28,.4 | TSSOP28,.53,22 | SOP28,.4 | TSSOP28,.53,22 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
页面大小 | 64 words | 64 words | 64 words | 64 words |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
编程电压 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 2.5 mm | 1.2 mm | 2.5 mm | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.00002 A | 0.00002 A | 0.00002 A | 0.00002 A |
最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 0.55 mm | 1.27 mm | 0.55 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
切换位 | YES | YES | YES | YES |
宽度 | 8.4 mm | 8 mm | 8.4 mm | 8 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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