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5082-2750

产品描述Mixer Diode, 1600ohm Z(V) Max, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小134KB,共4页
制造商HP(Keysight)
官网地址http://www.semiconductor.agilent.com/
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5082-2750概述

Mixer Diode, 1600ohm Z(V) Max, Silicon

5082-2750规格参数

参数名称属性值
厂商名称HP(Keysight)
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大阻抗1600 Ω
最小阻抗1200 Ω
JESD-30 代码O-CEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最大工作频率15 GHz
最小工作频率1 GHz
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
最大功率耗散0.1 W
脉冲输入功率最小值2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
最小正切信号灵敏度55 dBm
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置END
Base Number Matches1

5082-2750相似产品对比

5082-2750 5082-2787 5082-2751
描述 Mixer Diode, 1600ohm Z(V) Max, Silicon Mixer Diode, 1600ohm Z(V) Max, Silicon Mixer Diode, 1600ohm Z(V) Max, Silicon
厂商名称 HP(Keysight) HP(Keysight) HP(Keysight)
包装说明 O-CEMW-N2 O-LALF-W2 O-CEMW-N2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE MIXER DIODE MIXER DIODE
最大阻抗 1600 Ω 1600 Ω 1600 Ω
最小阻抗 1200 Ω 1200 Ω 1200 Ω
JESD-30 代码 O-CEMW-N2 O-LALF-W2 O-CEMW-N2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最大工作频率 15 GHz 15 GHz 15 GHz
最小工作频率 1 GHz 1 GHz 1 GHz
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED GLASS CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 MICROWAVE LONG FORM MICROWAVE
最大功率耗散 0.1 W 0.1 W 0.1 W
脉冲输入功率最小值 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO YES
最小正切信号灵敏度 55 dBm 52 dBm 55 dBm
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 NO LEAD WIRE NO LEAD
端子位置 END AXIAL END
Base Number Matches 1 1 1

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