5962-8751422XX概述

EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

5962-8751422XX规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	150 ns
其他特性	AUTOMATIC WRITE; 10K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
数据保留时间-最小值	10
耐久性	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.25 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.72 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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