IRF254: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小41KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRF254概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA

IRF254规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	22 A
最大漏极电流 (ID)	22 A
最大漏源导通电阻	0.14 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	88 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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	IRF254	IRF245	IRF235	IRFP245	IRF244	IRF234
描述	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 250V, 0.68ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	250 V	250 V	250 V	250 V	250 V	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	22 A	13 A	6.5 A	14 A	14 A	8.1 A
最大漏极电流 (ID)	22 A	13 A	6.8 A	14 A	14 A	8.4 A
最大漏源导通电阻	0.14 Ω	0.34 Ω	0.68 Ω	0.34 Ω	0.28 Ω	0.45 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-247AC	TO-204AA	TO-204AA
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	R-PSFM-T3	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	3	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	PLASTIC/EPOXY	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	RECTANGULAR	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W	125 W	75 W	150 W	125 W	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	88 A	52 A	27 A	56 A	56 A	34 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	THROUGH-HOLE	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	SINGLE	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

IRF254

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