IRF9530NLPBF,IRF9530NLPBF pdf中文资料,IRF9530NLPBF引脚图,IRF9530NLPBF电路-Datasheet-电子工程世界

IRF9530NLPBF: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小801KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRF9530NLPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN

	IRF9530NLPBF	IRF9530NSTRLPBF
描述	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN	漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 8.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：79W(Tc) 类型：P沟道 P沟道，-100V -14A
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	250 mJ	250 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	14 A	14 A
最大漏源导通电阻	0.2 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1
端子数量	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A	56 A
表面贴装	NO	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多