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70P244L55BYI

产品描述Application Specific SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81
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文件大小108KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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70P244L55BYI概述

Application Specific SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81

70P244L55BYI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明BGA, BGA81,9X9,20
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B81
JESD-609代码e0
内存密度65536 bit
内存集成电路类型APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量2
端子数量81
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA81,9X9,20
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000006 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距0.5 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

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VERY LOW POWER 1.8V
16K/8K/4K x 16
DUAL-PORT STATIC RAM
Features
IDT70P264/254/244L
DATASHEET
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
High-speed access
– Industrial: 40/55ns (max.)
Low-power operation
IDT70P264/254/244L
Active: 27mW (typ.)
Standby: 3.6
µ
W (typ.)
On-chip port interrupt logic which supports level shift
output
Fully asynchronous operation from either port
Power supply isolation functionality to aid system power
management
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed
bus compatibility
Left port is selectable 3.0V, 2.5V or 1.8V
Right port is 1.8V I/O
LVTTL-compatible, single 1.8V (±100mV) power supply
Available in 81 Ball 0.5mm-pitch BGA
Industrial temperature range (-40°C to +85°C)
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
R/W
L
UB
L
R/W
R
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I/O
8L
-I/O
15L
I/O
0L
-I/O
7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O
8R
-I/O
15R
I/O
0R
-I/O
7R
,
A
13L
(1)
A
0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A
13R
(1)
A
0R
14
14
CE
L
OE
L
R/W
L
INTERRUPT
LOGIC
CE
R
OE
R
R/W
R
INT
L
NOTE:
1. A
13X
is a NC for IDT70P254. A
13X
and A
12X
are NC for IDT70P244.
INT
R
7148 drw 01
FEBRUARY 2009
1
©2008 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-7148/2

70P244L55BYI相似产品对比

70P244L55BYI 70P244L40BYI
描述 Application Specific SRAM, 4KX16, 55ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81 Application Specific SRAM, 4KX16, 40ns, CMOS, PBGA81, 0.50 MM PITCH, BGA-81
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 BGA, BGA81,9X9,20 BGA, BGA81,9X9,20
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
最长访问时间 55 ns 40 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PBGA-B81 S-PBGA-B81
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 APPLICATION SPECIFIC SRAM APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 2 2
端子数量 81 81
字数 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 4KX16 4KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA
封装等效代码 BGA81,9X9,20 BGA81,9X9,20
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225
电源 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.000006 A 0.000006 A
最大压摆率 0.025 mA 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
Base Number Matches 1 1
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