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BC859BT/R: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小65KB，共8页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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BC859BT/R概述

TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

	BC859BT/R	BC859CT/R
描述	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	SOT-23	SOT-23
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	220	420
JEDEC-95代码	TO-236AB	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz
VCEsat-Max	0.65 V	0.65 V

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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