7202LA35SOG8,7202LA35SOG8 pdf中文资料,7202LA35SOG8引脚图,7202LA35SOG8电路-Datasheet-电子工程世界

7202LA35SOG8: 产品描述FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, SOIC-28; 产品类别存储存储; 文件大小308KB，共14页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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7202LA35SOG8概述

FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDSO28, SOIC-28

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
其他特性	RETRANSMIT
周期时间	45 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e3
长度	18.3642 mm
内存密度	9216 bit
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	28
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX9
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	8.763 mm
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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