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HSMS-286E-BLK

产品描述Mixer Diode, Ultra High Frequency to C Band, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小196KB,共17页
制造商Broadcom(博通)
标准
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HSMS-286E-BLK概述

Mixer Diode, Ultra High Frequency to C Band, Silicon

HSMS-286E-BLK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Broadcom(博通)
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY TO C BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量3
最大工作频率5.8 GHz
最小工作频率0.915 GHz
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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