电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IDT70V659

产品描述128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
产品类别存储   
文件大小196KB,共23页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IDT70V659概述

128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256

IDT70V659规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量256
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.45 V
最小供电/工作电压3.15 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间12 ns
加工封装描述17 × 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状SQUARE
包装尺寸GRID 阵列, 低 PROFILE
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子涂层锡 铅
端子位置BOTTOM
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织128K × 36
存储密度4.72E6 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数131072 words
位数128K
内存IC类型双端口静态随机存储器
串行并行并行

文档预览

下载PDF文档
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
Features
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12/15ns (max.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70V659 easily expands data bus width to 72 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
x
x
x
PRELIMINARY
IDT70V659S
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack, 208-ball fine
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
2L
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
R/
W
R
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
2
L
B
E
3
L
B
E
3
R
B
E
2
R
B
E
1
R
B
E
0
R
BE
1 L
BE
0L
R/
W
L
CE
0 L
CE1L
CE
0 R
CE1R
OE
L
OE
R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
128K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O - I/O
0L
35L
Di n_L
Di n_R
I/O - I/O
0R
35R
A16 L
A0 L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A
16R
A
0R
CE
0 L
CE1L
OE
L
R/WL
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
CE
0 R
CE1R
OE
R
R/WR
BUSY
R
BUSY
L
SEM
L
INT
L
M/S
SEM
R
INT
R
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
4869 drw 01
NOTES:
1.
BUSY
is an input as a Slave (M/S=V
IL
) and an output when it is a Master (M/S=V
IH
).
2.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
JUNE 2001
DSC-4869/3
1
©2001 Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V659相似产品对比

IDT70V659 IDT70V659S
描述 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256 128K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
功能数量 1 1
端子数量 256 256
最大工作温度 85 Cel 85 Cel
最小工作温度 -40 Cel -40 Cel
最大供电/工作电压 3.45 V 3.45 V
最小供电/工作电压 3.15 V 3.15 V
额定供电电压 3.3 V 3.3 V
最大存取时间 12 ns 12 ns
加工封装描述 17 × 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 17 × 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
状态 ACTIVE ACTIVE
工艺 CMOS CMOS
包装形状 SQUARE SQUARE
包装尺寸 GRID 阵列, 低 PROFILE GRID 阵列, 低 PROFILE
表面贴装 Yes Yes
端子形式 BALL BALL
端子间距 1 mm 1 mm
端子涂层 锡 铅 锡 铅
端子位置 BOTTOM BOTTOM
包装材料 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
内存宽度 36 36
组织 128K × 36 128K × 36
存储密度 4.72E6 deg 4.72E6 deg
操作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
内存IC类型 双端口静态随机存储器 双端口静态随机存储器
串行并行 并行 并行
位数 128K 128K

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2259  1486  2891  886  42  46  30  59  18  1 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved