HC/UH SERIES, QUAD 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP14, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| 针数 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.006 A |
| 位数 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 25 ns |
| 传播延迟（tpd） | 25 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 5962R9580301VCC | 5962R9580301V9A | 5962R9580301VXC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | HC/UH SERIES, QUAD 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP14, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-14 | HC/UH SERIES, QUAD 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, UUC14, 2.34 X 2.31 MM, DIE-14 | HC/UH SERIES, QUAD 1-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDFP14, METAL SEALED, CERAMIC, DFP-14 |
| 零件包装代码 | DIP | DIE | DFP |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | DIE, | DFP, FL14,.3 |
| 针数 | 14 | 14 | 14 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 系列 | HC/UH | HC/UH | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T14 | R-XUUC-N14 | R-CDFP-F14 |
| JESD-609代码 | e4 | e0 | e4 |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | BUS DRIVER |
| 位数 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 | 4 |
| 端口数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 14 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | UNSPECIFIED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIE | DFP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | UNCASED CHIP | FLATPACK |
| 传播延迟（tpd） | 25 ns | 21 ns | 25 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | GOLD | TIN LEAD | GOLD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | UPPER | DUAL |
| 总剂量 | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V | 100k Rad(Si) V |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
| 控制类型 | ENABLE LOW | - | ENABLE LOW |
| 长度 | 19.43 mm | - | 9.525 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | - | 50 pF |
| 最大I（ol） | 0.006 A | - | 0.006 A |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | - | FL14,.3 |
| 电源 | 5 V | - | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 25 ns | - | 25 ns |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S | - | 38535V;38534K;883S |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 2.92 mm |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 6.285 mm |
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