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HB56HW165DB-7B

产品描述EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, MOS, DIMM-144
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文件大小310KB,共29页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56HW165DB-7B概述

EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, MOS, DIMM-144

HB56HW165DB-7B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM144,32
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
自我刷新NO
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.66 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HB56HW165DB-6B/7B
1,048,576-word
×
64-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-571(Z)
Preliminary - Rev.0.0
Apr.18,1996
Description
The HB56HW165DB is a 1M
×
64 dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module
(S.O.DIMM), mounted 4 pieces of 16-Mbit DRAM (HM51W18165BTT) sealed in TSOP package and 1
pieces of serial EEPROM (24C02) for Presence Detect (PD).
The HB56HW165DB offers Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed access mode.
An outline of the HB56HW165DB is 144-pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package.
Therefore, the HB56HW165DB makes high density mounting possible without surface mount technology.
The HB56HW165DB provides common data inputs and outputs. Decoupling capacitors are mounted
beside each TSOP on the module board.
Features
144-pin Zig Zag Dual tabs socket type
Lead pitch: 0.80 mm
Single 3.3 V (±0.3 V) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 60/70ns (max)
Access time: t
CAC
= 15/18ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 2.45/2.16W (max)
Standby mode (TTL): 28.8 mW (max)
Standby mode (CMOS): 14.4 mW (max)
EDO page mode capability
1,024 refresh cycle: 16 ms
3 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh

HB56HW165DB-7B相似产品对比

HB56HW165DB-7B HB56HW165DB-6B
描述 EDO DRAM Module, 1MX64, 70ns, MOS, DIMM-144 EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIMM-144
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM144,32 DIMM, DIMM144,32
针数 144 144
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 70 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 144 144
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX64 1MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM144,32 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024
自我刷新 NO NO
最大待机电流 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.66 mA 0.74 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL
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