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1N6302/1-E3

产品描述DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小436KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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1N6302/1-E3概述

DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

1N6302/1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大击穿电压198 V
最小击穿电压162 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散6.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压146 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT APPLICABLE
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