1N6282/4F-E3,1N6282/4F-E3 pdf中文资料,1N6282/4F-E3引脚图,1N6282/4F-E3电路-Datasheet-电子工程世界

1N6282/4F-E3: 产品描述DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppressor; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小170KB，共7页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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1N6282/4F-E3概述

DIODE 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN, Transient Suppressor

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
制造商包装代码	CASE 1.5KE
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压	33 V
最小击穿电压	27 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT APPLICABLE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	6.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	24.3 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT APPLICABLE
Base Number Matches	1

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