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5962R9950401QZA

产品描述

5962R9950401QZA放大器基础信息:

5962R9950401QZA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP, SOP14,.4

5962R9950401QZA放大器核心信息:

5962R9950401QZA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.075 µA他的最大平均偏置电流为0.3 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962R9950401QZA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962R9950401QZA的最大压摆率为3 mA,而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为40000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962R9950401QZA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962R9950401QZA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962R9950401QZA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为。5962R9950401QZA的输入失调电压为7000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962R9950401QZA的宽度为:6.35 mm。

5962R9950401QZA的相关尺寸:

5962R9950401QZA拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:14

5962R9950401QZA放大器其他信息:

5962R9950401QZA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962R9950401QZA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

其属于微功率放大器。5962R9950401QZA不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDSO-G14。其对应的的JESD-609代码为:e0。

5962R9950401QZA的封装代码是:SOP。5962R9950401QZA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962R9950401QZA封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。

座面最大高度为2.33 mm。

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小805KB,共55页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
器件替换:5962R9950401QZA替换放大器
敬请期待 详细参数 选型对比

5962R9950401QZA概述

5962R9950401QZA放大器基础信息:

5962R9950401QZA是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为SOP, SOP14,.4

5962R9950401QZA放大器核心信息:

5962R9950401QZA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:0.075 µA他的最大平均偏置电流为0.3 µA

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962R9950401QZA的标称压摆率有0.5 V/us。厂商给出的5962R9950401QZA的最大压摆率为3 mA,而最小压摆率为0.1 V/us。其最小电压增益为40000。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962R9950401QZA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为1000 kHz。5962R9950401QZA的功率为NO。其可编程功率为NO。

5962R9950401QZA的标称供电电压为5 V,其对应的标称负供电电压为。5962R9950401QZA的输入失调电压为7000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)5962R9950401QZA的宽度为:6.35 mm。

5962R9950401QZA的相关尺寸:

5962R9950401QZA拥有14个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为1.27 mm。共有针脚:14

5962R9950401QZA放大器其他信息:

5962R9950401QZA采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。5962R9950401QZA的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:MILITARY。

其属于微功率放大器。5962R9950401QZA不符合Rohs认证。其含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:R-GDSO-G14。其对应的的JESD-609代码为:e0。

5962R9950401QZA的封装代码是:SOP。5962R9950401QZA封装的材料多为CERAMIC, GLASS-SEALED。而其封装形状为RECTANGULAR。5962R9950401QZA封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE。其端子形式有:GULL WING。

座面最大高度为2.33 mm。

5962R9950401QZA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP14,.4
针数14
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.075 µA
标称共模抑制比85 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压7000 µV
JESD-30 代码R-GDSO-G14
JESD-609代码e0
低-偏置NO
低-失调NO
微功率YES
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
功率NO
电源+-5/+-30 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
座面最大高度2.33 mm
最小摆率0.1 V/us
标称压摆率0.5 V/us
最大压摆率3 mA
供电电压上限32 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽1000 kHz
最小电压增益40000
宽带NO
宽度6.35 mm
Base Number Matches1

5962R9950401QZA相似产品对比

5962R9950401QZA 5962R9950401QCA 5962R9950401QDA
描述 QUAD OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDSO14, CERAMIC, SOIC-14 QUAD OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDIP14, CERDIP-14 QUAD OP-AMP, 7000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDFP14, CERAMIC, FP-14
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SOIC DIP DFP
包装说明 SOP, SOP14,.4 DIP, DIP14,.3 DFP, FL14,.25
针数 14 14 14
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.3 µA 0.3 µA 0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.075 µA 0.075 µA 0.075 µA
标称共模抑制比 85 dB 85 dB 85 dB
频率补偿 YES YES YES
最大输入失调电压 7000 µV 7000 µV 7000 µV
JESD-30 代码 R-GDSO-G14 R-GDIP-T14 R-GDFP-F14
JESD-609代码 e0 e0 e0
低-偏置 NO NO NO
低-失调 NO NO NO
微功率 YES YES YES
功能数量 4 4 4
端子数量 14 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 SOP DIP DFP
封装等效代码 SOP14,.4 DIP14,.3 FL14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
功率 NO NO NO
电源 +-5/+-30 V +-5/+-30 V +-5/+-30 V
可编程功率 NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883 MIL-STD-883 MIL-STD-883
座面最大高度 2.33 mm 5.08 mm 2.032 mm
最小摆率 0.1 V/us 0.1 V/us 0.1 V/us
标称压摆率 0.5 V/us 0.5 V/us 0.5 V/us
最大压摆率 3 mA 3 mA 3 mA
供电电压上限 32 V 32 V 32 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE FLAT
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
总剂量 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz
最小电压增益 40000 40000 40000
宽带 NO NO NO
宽度 6.35 mm 7.62 mm 6.35 mm
Base Number Matches 1 1 1

 
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