电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HYS72T256521EFD-25FC2

产品描述DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共45页
制造商QIMONDA
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HYS72T256521EFD-25FC2概述

DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240

HYS72T256521EFD-25FC2规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数240
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N240
内存密度19327352832 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织256MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Aug 2008
HYS72T128501EFD–3S–C2
HYS72T[256/512]4[20/21]EFD–3S–C2
HYS72T[256/512]5[20/21/40]EFD–3S–C2
HYS72T[256/512]5[20/21/40]EFD–25FC2
240-Pin Fully-Buffered DDR2 SDRAM Modules
DDR2 SDRAM
EU RoHS Compliant Products
Advance
Internet Data Sheet
Rev.0.90

HYS72T256521EFD-25FC2相似产品对比

HYS72T256521EFD-25FC2 HYS72T512520EFD-25FC2 HYS72T512540EFD-25FC2 HYS72T256421EFD-3S-C2 HYS72T128501EFD-3S-C2 HYS72T256521EFD-3S-C2 HYS72T512520EFD-3S-C2 HYS72T512540EFD-3S-C2
描述 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240 DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240 DDR DRAM Module, 256MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240 DDR DRAM Module, 512MX72, CMOS, GREEN, FBDIMM-240
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
针数 240 240 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code unknown unknow unknown unknown unknown unknown unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
内存密度 19327352832 bit 38654705664 bi 38654705664 bit 19327352832 bit 9663676416 bit 19327352832 bit 38654705664 bi 38654705664 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240 240 240
字数 268435456 words 536870912 words 536870912 words 268435456 words 134217728 words 268435456 words 536870912 words 536870912 words
字数代码 256000000 512000000 512000000 256000000 128000000 256000000 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 256MX72 512MX72 512MX72 256MX72 128MX72 256MX72 512MX72 512MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 - - - QIMONDA QIMONDA QIMONDA QIMONDA QIMONDA
单片机IO口的弱上拉、开漏输出、推挽输出和施密特输入
弱上拉:比较弱的上拉,一般用在和外围器件的通讯上,比如IIC总线等,但不能用于需要驱动能力的上拉应用中。当I/O口设置为弱上拉输出方式时,各个I/O口与VDD之间约有100K电阻。如输出逻辑电平为1 ......
siuhiong 51单片机
懂IBMR40E的看下
我电脑内存是256的,我想扩展内存到1G,带到电脑市场去装太远了,自己买了条512的和条256的回来准备自己装,可是找不到内存插槽在哪里。请问下是不是要把笔记本卸开才可以装啊。哪位高手指点下 ......
zyw_124 嵌入式系统
学习版教程 第十二课 IIC总线
最后一课,IIC总线的教程哦~...
youki12345 综合技术交流
力转成数字显示PCB板怎么做
我公司现在要设计一款产品,他是由测试力的大小转换成数字显示的,再由电阻或电容感应按键控制整个电路,得到数据后,可以用TF卡或SD卡储存,要实现这些功能,不知道要用到什么模块,什么电路, ......
chj000 PCB设计
关于高压输电,问个不太明确的问题
每次坐车走高速都能看到高速路两旁的高压输电的铁塔, 铁塔上的输电线并不是一样粗, 在铁塔最顶端的那条线,明显比其他的线要细一些,不知道这条线是做什么的? 经过仔细观察,这条线似乎并 ......
小瑞 工业自动化与控制
coprocessor, help!
正在看coprocessor的东西,有两条指令MCR和MRC需要用到coprocessor的操作码(opcode),我在datasheet里找了好久都找不到opcode的定义。 谁能提供给我参考文献呀? 谢谢。...
roMoon ARM技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 860  2907  311  2483  2079  56  44  52  8  29 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved