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IDT70V9159L7PFGI8

产品描述Dual-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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文件大小303KB,共16页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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IDT70V9159L7PFGI8概述

Dual-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70V9159L7PFGI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间18 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度14 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

IDT70V9159L7PFGI8相似产品对比

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描述 Dual-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 8KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX9, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 16KX9, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 8KX9, 20ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 8KX9, 15ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 LFQFP, LFQFP, LFQFP, LFQFP, LFQFP, LFQFP,
针数 100 100 100 100 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 18 ns 18 ns 18 ns 20 ns 20 ns 15 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 73728 bit 73728 bit 147456 bit 147456 bit 73728 bit 73728 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 9 9 9 9 9 9
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 100 100 100 100 100
字数 8192 words 8192 words 16384 words 16384 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 16000 16000 8000 8000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX9 8KX9 16KX9 16KX9 8KX9 8KX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) MATTE TIN MATTE TIN Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

 
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