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FK7VS-12-T2

产品描述Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小211KB,共5页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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FK7VS-12-T2概述

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN

FK7VS-12-T2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码TO-220S
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)7 A
最大漏源导通电阻1.63 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)21 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FK7VS-12-T2相似产品对比

FK7VS-12-T2 FK7VS-12-T1
描述 Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 TO-220S TO-220S
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 7 A 7 A
最大漏源导通电阻 1.63 Ω 1.63 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 21 A 21 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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