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CZT3055LEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小599KB,共2页
制造商Central Semiconductor
标准
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CZT3055LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4

CZT3055LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN (315)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2.5 MHz
Base Number Matches1

CZT3055LEADFREE相似产品对比

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描述 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4 POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4
针数 4 4
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN (315) MATTE TIN (315)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 2.5 MHz 2.5 MHz
Base Number Matches 1 1
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