Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
包装说明 | POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 6 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | MATTE TIN (315) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 2.5 MHz |
Base Number Matches | 1 |
CZT3055LEADFREE | CZT2955LEADFREE | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4 | Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4 |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
包装说明 | POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4 | POWER 223, PLASTIC PACKAGE-4 |
针数 | 4 | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 6 A | 6 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 5 | 5 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 4 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
极性/信道类型 | NPN | PNP |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | MATTE TIN (315) | MATTE TIN (315) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 2.5 MHz | 2.5 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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