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BFQ67W-T

产品描述TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小250KB,共12页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BFQ67W-T概述

TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal

BFQ67W-T规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz
Base Number Matches1

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