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DPZ2MX16NY3-12B

产品描述Flash Module, 4MX8, 120ns, CQCC48, MODULE, HERMETIC SEALED, LEADLESS, CERAMIC, SLCC-48
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文件大小533KB,共18页
制造商Twilight Technology Inc
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DPZ2MX16NY3-12B概述

Flash Module, 4MX8, 120ns, CQCC48, MODULE, HERMETIC SEALED, LEADLESS, CERAMIC, SLCC-48

DPZ2MX16NY3-12B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Twilight Technology Inc
零件包装代码LCC
包装说明AQCCN, LCC48,.5X.87
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间120 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
备用内存宽度16
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-CQCC-N48
长度22.098 mm
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型FLASH MODULE
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模32
端子数量48
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4MX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码AQCCN
封装等效代码LCC48,.5X.87
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, PIGGYBACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度8.8646 mm
部门规模64K
最大待机电流0.0004 A
最大压摆率0.105 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
类型NOR TYPE
宽度12.7 mm
写保护HARDWARE
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