电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

FLM7785-18F

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小298KB,共4页
制造商SUMITOMO(住友)
官网地址https://global-sei.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

FLM7785-18F概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2 PIN

FLM7785-18F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SUMITOMO(住友)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
制造商包装代码CASE IK
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压15 V
最大漏极电流 (ID)5.8 A
FET 技术JUNCTION
最高频带C BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches1

FLM7785-18F相似产品对比

FLM7785-18F
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IK, 2 PIN
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 SUMITOMO(住友)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数 2
制造商包装代码 CASE IK
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 15 V
最大漏极电流 (ID) 5.8 A
FET 技术 JUNCTION
最高频带 C BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 DEPLETION MODE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches 1

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 326  1028  1086  1578  1689 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved