IS61VPD51232-166TQI,IS61VPD51232-166TQI pdf中文资料,IS61VPD51232-166TQI引脚图,IS61VPD51232-166TQI电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61VPD51232-166TQI

IS61VPD51232-166TQI: 产品描述Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小165KB，共24页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61VPD51232-166TQI概述

Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61VPD51232-166TQI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	100
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IS61VPD51232-166TQI相似产品对比

	IS61VPD51232-166TQI	IS61VPD51232-166TQ	IS61VPD10018-200TQI	IS61VPD51236-166BI	IS61VPD51236-166TQI	IS61VPD10018-166BI	IS61VPD51236-200TQ	IS61VPD10018-166TQI
描述	Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX32, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 1MX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP
包装说明	TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	TQFP-100	TQFP-100
针数	100	100	100	119	100	119	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	3.5 ns	3.1 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.1 ns	3.5 ns
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	20 mm	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	20 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	32	32	18	36	36	18	36	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	119	100	119	100	100
字数	524288 words	524288 words	1048576 words	524288 words	524288 words	1048576 words	524288 words	1048576 words
字数代码	512000	512000	1000000	512000	512000	1000000	512000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	512KX32	512KX32	1MX18	512KX36	512KX36	1MX18	512KX36	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	LQFP	BGA	LQFP	BGA	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	2.41 mm	1.6 mm	2.41 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-

IS61VPD51232-166TQI

IS61VPD51232-166TQI概述

IS61VPD51232-166TQI规格参数

IS61VPD51232-166TQI相似产品对比

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