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TC55V8128BFT-12: 产品描述TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS; 产品类别存储存储; 文件大小365KB，共10页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC55V8128BFT-12概述

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

TC55V8128BFT-12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP32,.46,32
针数	32
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
长度	13.34 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP32,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

TC55V8128BFT-12相似产品对比

	TC55V8128BFT-12	TC55V8128BFT-10	TC55V8128BJ-10	TC55V8128BJ-12	TC55V8128BJ-15	TC55V8128BFT-15
描述	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS	TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
包装说明	TSOP2, TSOP32,.46,32	TSOP2, TSOP32,.46,32	SOJ, SOJ32,.44	SOJ, SOJ32,.44	SOJ, SOJ32,.44	TSOP2,
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
最长访问时间	12 ns	10 ns	10 ns	12 ns	15 ns	15 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32
内存密度	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi
内存宽度	8	8	8	8	8	8
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	-	不符合	不符合
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	-	-
针数	32	32	32	32	-	-
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	-	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-
JESD-609代码	e0	-	e0	-	e0	e0
长度	13.34 mm	13.34 mm	20.96 mm	20.96 mm	-	13.34 mm
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	STANDARD SRAM	-
功能数量	1	1	1	1	-	1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	TSOP32,.46,32	TSOP32,.46,32	SOJ32,.44	SOJ32,.44	SOJ32,.44	-
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	3.7 mm	3.7 mm	-	1.2 mm
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	-
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	-
最大压摆率	0.16 mA	0.2 mA	0.2 mA	0.16 mA	0.14 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	-	3 V
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	10.16 mm

TC55V8128BFT-12

TC55V8128BFT-12概述

TC55V8128BFT-12规格参数

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