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BZM55B8V2-T

产品描述Zener Diode,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小112KB,共6页
制造商Rectron Semiconductor
官网地址http://www.rectron.com/
标准
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BZM55B8V2-T概述

Zener Diode,

BZM55B8V2-T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明O-LELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压8.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZM55B
SERIES
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE RANGE 2.4 to 75 Volts POWER 500 mWatt
FEATURES
* Planar Die construction
* 500mW Power Dissipation
* Ideally Suited for Automated Assembly Processes
0.043(1.1)
MICRO-MELF
MECHANICAL DATA
* Case: Molded Glass MICRO-MELF
* Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
0.008(0.2)
0.008(0.2)
0.079(2.0)
0.071(1.8)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
Value
500
-65 to +175
-65 to +175
Units
mW
O
P
TOT
T
J
T
S
O
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 200mA
Symbol
R
JA
V
F
Min.
--
--
Typ.
--
--
Max.
0.3
1.5
o
0.0 48(1.2)D I A.
0 .0 4 0 (1 .0 )
C
C
Units
C/mW
V
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
2018-12/62
REV: O
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