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1N4150DIE

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DIE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小56KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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1N4150DIE概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DIE

1N4150DIE规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIE
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性ULTRA FAST
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-609代码e3
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.2 A
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.006 µs
端子面层MATTE TIN
Base Number Matches1

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1N4150 / FDLL4150
Discrete POWER & Signal
Technologies
1N4150 / FDLL4150
COLOR BAND MARKING
DEVICE
FDLL4150
1ST BAND 2ND BAND
BLACK
ORANGE
LL-34
DO-35
THE PLACEMENT OF THE EXPANSION GAP
HAS NO RELATIONSHIP TO THE LOCATION
OF THE CATHODE TERMINAL
High Conductance Ultra Fast Diode
Sourced from Process 1R. See MMBD1201-1205 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
f(surge)
Working Inverse Voltage
Average Rectified Current
DC Forward Current
Recurrent Peak Forward Current
TA = 25°C unless otherwise noted
Parameter
Value
50
200
400
600
1.0
4.0
-65 to +200
175
Units
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
T
stg
T
J
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
TA = 25°C unless otherwise noted
Characteristic
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Max
1N / FDLL 4150
500
3.33
300
Units
mW
mW/°C
°C/W
ã
1997 Fairchild Semiconductor Corporation

1N4150DIE相似产品对比

1N4150DIE 1N4150.TR
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DIE Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,
Reach Compliance Code unknow compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
最大输出电流 0.2 A 0.2 A
最大功率耗散 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.006 µs
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
Base Number Matches 1 1

 
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