7174S45L32概述

Memory Circuit, 8KX8, CMOS, CQCC32

7174S45L32规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	45 ns
JESD-30 代码	R-XQCC-N32
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8
端子数量	32
字数	8192 words
字数代码	8000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.14 A
最大压摆率	0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
Base Number Matches	1

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7174S45L32相似产品对比

	7174S45L32	7174S45L32B	7174S20D	7174S20J	IDT7174S45DI	IDT7174S55T	7174S30D	7174S30J
描述	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, CQCC32	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, CQCC32	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, CDIP28	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PQCC32	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, CDIP28	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, CDIP28	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, CDIP28	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PQCC32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	45 ns	45 ns	20 ns	20 ns	45 ns	55 ns	30 ns	30 ns
JESD-30 代码	R-XQCC-N32	R-XQCC-N32	R-XDIP-T28	R-PQCC-J32	R-XDIP-T28	R-XDIP-T28	R-XDIP-T28	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
端子数量	32	32	28	32	28	28	28	32
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
最高工作温度	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCN	QCCN	DIP	QCCJ	DIP	DIP	DIP	QCCJ
封装等效代码	LCC32,.45X.55	LCC32,.45X.55	DIP28,.6	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	DIP28,.4	DIP28,.6	LDCC32,.5X.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	260	260	260	260	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	NO	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	6	6	6	6	30	30
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
最大待机电流	0.14 A	0.15 A	0.19 A	0.19 A	-	-	0.17 A	0.17 A
最大压摆率	0.14 mA	0.15 mA	0.19 mA	0.19 mA	-	-	0.17 mA	0.17 mA
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-

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