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R1QKA7236ABB-25IS

产品描述QDR SRAM
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文件大小874KB,共39页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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R1QKA7236ABB-25IS概述

QDR SRAM

R1QKA7236ABB-25IS规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间0.55 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm
Base Number Matches1

R1QKA7236ABB-25IS相似产品对比

R1QKA7236ABB-25IS R1QKA7236ABB-25IB R1QKA7236ABB-25IA
描述 QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最长访问时间 0.55 ns 0.55 ns 0.55 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 15 mm 15 mm 15 mm
内存密度 75497472 bit 75497472 bit 75497472 bit
内存集成电路类型 QDR SRAM QDR SRAM QDR SRAM
内存宽度 36 36 36
功能数量 1 1 1
端子数量 165 165 165
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 2MX36 2MX36 2MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 13 mm 13 mm 13 mm
Base Number Matches 1 1 1
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