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70V631S10PRFG8

产品描述Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
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文件大小213KB,共23页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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70V631S10PRFG8概述

Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128

70V631S10PRFG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数128
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间10 ns
JESD-30 代码R-PQFP-G128
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量128
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm
Base Number Matches1

70V631S10PRFG8相似产品对比

70V631S10PRFG8 70V631S15PRFI 70V631S12PRFGI8
描述 Dual-Port SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 SRAM Dual-Port SRAM, 256KX18, 12ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
是否Rohs认证 符合 不符合 符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
包装说明 LFQFP, , LFQFP,
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
JESD-609代码 e3 e0 e3
湿度敏感等级 3 3 3
端子面层 MATTE TIN Tin/Lead (Sn85Pb15) MATTE TIN
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 不含铅 - 不含铅
零件包装代码 QFP - QFP
针数 128 - 128
最长访问时间 10 ns - 12 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G128 - R-PQFP-G128
长度 20 mm - 20 mm
内存密度 4718592 bit - 4718592 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM - DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 - 18
功能数量 1 - 1
端子数量 128 - 128
字数 262144 words - 262144 words
字数代码 256000 - 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 85 °C
组织 256KX18 - 256KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP - LFQFP
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH - FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm - 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V - 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V - 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V - 3.3 V
表面贴装 YES - YES
技术 CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL - INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子节距 0.5 mm - 0.5 mm
端子位置 QUAD - QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30
宽度 14 mm - 14 mm

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