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UZDC833A

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 25V, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小151KB,共2页
制造商Diodes Incorporated
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UZDC833A概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 25V, Silicon

UZDC833A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压25 V
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差10%
最小二极管电容比5
标称二极管电容33 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大功率耗散0.33 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1

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SOT23 SILICON DUAL
VARIABLE CAPACITANCE DIODE
ISSUE 2 – JANUARY 1998
FEATURES
* VHF to UHF operation
* Common Cathode Dual Diode
* Monolithic construction
APPLICATIONS
* Mobile radios and Pagers
* Cellular telephones
* Voltage controlled Crystal Oscillators
PARTMARKING DETAIL ZDC833A – C2A
PIN CONFIGURATION
1
ZDC833A
2
1
3
2
3
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.(Each Diode)
PARAMETER
Forward Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
I
F
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
200
330
-55 to +150
UNIT
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C ). (Each Diode)
PARAMETER
Reverse Breakdown
Voltage
Reverse Leakage
Current
Temperature
Coefficient
Diode Capacitance
Capacitance Ratio
Figure of Merit
SYMBOL
V
BR
MIN.
25
TYP.
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
R
= 10µA
V
R
= 20V
I
R
η
0.2
10
nA
400
ppm/°C
V
R
= 3V, f=1MHz
C
d
C
d
/ C
d
Q
29.7
5.0
200
33
36.3
6.5
pF
V
R
= 2V, f=1MHz
V
R
= 2V/20V, f=1MHz
V
R
= 3V, f=50MHz

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UZDC833A ZDC833A
描述 Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 25V, Silicon Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 25V, Silicon
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最小击穿电压 25 V 25 V
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差 10% 10%
最小二极管电容比 5 5
标称二极管电容 33 pF 33 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带 VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
最大功率耗散 0.33 W 0.33 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 200 200
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
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