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5962-89734012A

产品描述Inverter, ACT Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CQCC20,
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小243KB,共23页
制造商e2v technologies
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5962-89734012A概述

Inverter, ACT Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CQCC20,

5962-89734012A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明QCCN, LCC20,.35SQ
Reach Compliance Codecompliant
系列ACT
JESD-30 代码S-CQCC-N20
JESD-609代码e0
长度8.89 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型INVERTER
最大I(ol)0.024 A
功能数量6
输入次数1
端子数量20
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC20,.35SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup10 ns
传播延迟(tpd)10 ns
认证状态Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度1.905 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度8.89 mm
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
DESCRIPTION
Delete Vendor CAGE 18714. Add vendor CAGE 27014. Editorial changes
throughout.
Add vendor CAGE 01295 for device type 01. Change boilerplate to add device
class V criteria.
Add vendor CAGE F8859. Add case outline X. Add device type 03. Add delta
limits, table III. Update boilerplate to MIL-PRF-38535 requirements. – LTG
Change lead temperature for case outline X in section 1.3. Add section 1.5,
radiation features. Update boilerplate to include radiation hardness assured
requirements. Add notes to figure 4, switching waveforms and test circuit.
Editorial changes throughout. – LTG
Add appendix A, microcircuit die. Update the boilerplate to MIL-PRF-38535
requirements and to include radiation hardness assurance requirements.
Editorial changes throughout. – jak
Update boilerplate paragraphs to the current MIL-PRF-38535 requirements. -
LTG
DATE (YR-MO-DA)
91-08-28
APPROVED
M. A. Frye
B
97-08-04
Monica L. Poelking
C
02-06-24
Thomas M. Hess
D
04-12-01
Thomas M. Hess
E
07-03-19
Thomas M. Hess
F
13-05-16
Thomas M. Hess
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
F
15
F
16
F
17
F
18
REV
SHEET
PREPARED BY
Marcia B. Kelleher
CHECKED BY
Thomas J. Ricciuti
APPROVED BY
Michael A. Frye
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
DSCC FORM 2233
APR 97
DRAWING APPROVAL DATE
89-08-14
REVISION LEVEL
F
19
F
20
F
21
F
1
F
2
F
3
F
4
F
5
F
6
F
7
F
8
F
9
F
10
F
11
F
12
F
13
F
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
DLA LAND AND MARITIME
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.landandmaritime.dla.mil
MICROCIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED CMOS,
HEX INVERTER, TTL COMPATIBLE INPUTS,
MONOLITHIC SILICON
SIZE
CAGE CODE
F
A
67268
SHEET
1 OF 21
5962-89734
5962-E351-13

5962-89734012A相似产品对比

5962-89734012A 5962-8973401DA 5962-8973401CA
描述 Inverter, ACT Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CQCC20, Inverter, ACT Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CDFP14, Inverter, ACT Series, 6-Func, 1-Input, CMOS, CDIP14,
包装说明 QCCN, LCC20,.35SQ DFP, FL14,.3 DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
系列 ACT ACT ACT
JESD-30 代码 S-CQCC-N20 R-GDFP-F14 R-GDIP-T14
JESD-609代码 e0 e0 e0
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 INVERTER INVERTER INVERTER
最大I(ol) 0.024 A 0.024 A 0.024 A
功能数量 6 6 6
输入次数 1 1 1
端子数量 20 14 14
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCN DFP DIP
封装等效代码 LCC20,.35SQ FL14,.3 DIP14,.3
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER FLATPACK IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 10 ns 10 ns 10 ns
传播延迟(tpd) 10 ns 10 ns 10 ns
认证状态 Qualified Qualified Qualified
施密特触发器 NO NO NO
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度 1.905 mm 2.032 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL
宽度 8.89 mm 6.35 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1
长度 8.89 mm - 19.43 mm
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