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HY5PS12821CFLP-S5

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
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文件大小614KB,共38页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY5PS12821CFLP-S5概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

HY5PS12821CFLP-S5规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度10.5 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10 mm
Base Number Matches1

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HY5PS12421C(L)FP
HY5PS12821C(L)FP
HY5PS121621C(L)FP
512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12421C(L)FP
HY5PS12821C(L)FP
HY5PS121621C(L)FP
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
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