Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Objectid | 2078586673 |
零件包装代码 | BCY |
包装说明 | TO-39, 3 PIN |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 140 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
认证状态 | Qualified |
参考标准 | MIL-19500/357H |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
最大关闭时间(toff) | 650 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns |
JANTXV2N3635 | JANTXV2N3634 | JANTXV2N3636 | JANTXV2N3637 | JANTXV2N3637L | |
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描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN | 1000 mA, 175 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 175V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN | 1000 mA, 175 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | BCY | BCY | BCY | BCY | TO-5 |
包装说明 | TO-39, 3 PIN | TO-39, 3 PIN | TO-39, 3 PIN | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数 | 2 | 2 | 2 | 2 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow | not_compliant | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 140 V | 140 V | 175 V | 175 V | 175 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 30 | 30 | 60 | 60 |
JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-5 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 200 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | PNP | PNP | PNP | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1 W | 1 W | 1 W | 1 W |
认证状态 | Qualified | Not Qualified | Qualified | Qualified | Qualified |
参考标准 | MIL-19500/357H | MIL-19500/357H | MIL-19500/357H | MIL-19500/357H | MIL-19500/357H |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 650 ns | 650 ns | 650 ns | 650 ns | 650 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
Objectid | 2078586673 | 2078586664 | - | 2078586691 | - |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz | 150 MHz | 150 MHz | 200 MHz | - |
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