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MB84VA2003-10

产品描述8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM
产品类别存储    存储   
文件大小184KB,共29页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB84VA2003-10概述

8M (x 8/x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 8) STATIC RAM

MB84VA2003-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明LBGA, BGA48,6X8,40
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间100 ns
其他特性SRAM IS ORGANISED AS 256K X 8
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA48,6X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm

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