4000/14000/40000 SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | ONE FUNCTION WITH TWO BITS |
| 控制类型 | ENABLE LOW |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.305 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER |
| 位数 | 4 |
| 功能数量 | 2 |
| 端口数量 | 2 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 100 ns |
| 传播延迟（tpd） | 100 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CD4503BMN | CD4503BCN | 2SC2230A | CD4503BMJ | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 4000/14000/40000 SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 | 4000/14000/40000 SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, PDIP16, PLASTIC, DIP-16 | TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors | 4000/14000/40000 SERIES, DUAL 4-BIT DRIVER, TRUE OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | - | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | - | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | - | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | - | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | - | unknown |
| 其他特性 | ONE FUNCTION WITH TWO BITS | ONE FUNCTION WITH TWO BITS | - | ONE FUNCTION WITH TWO BITS |
| 控制类型 | ENABLE LOW | ENABLE LOW | - | ENABLE LOW |
| 系列 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 | - | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 | - | R-GDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | e0 |
| 长度 | 19.305 mm | 19.305 mm | - | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | - | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | BUS DRIVER | BUS DRIVER | - | BUS DRIVER |
| 位数 | 4 | 4 | - | 4 |
| 功能数量 | 2 | 2 | - | 2 |
| 端口数量 | 2 | 2 | - | 2 |
| 端子数量 | 16 | 16 | - | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 85 °C | - | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -40 °C | - | -55 °C |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 输出极性 | TRUE | TRUE | - | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | DIP | - | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | - | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | - | IN-LINE |
| 电源 | 5/15 V | 5/15 V | - | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 100 ns | 100 ns | - | 100 ns |
| 传播延迟（tpd） | 100 ns | 100 ns | - | 100 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | - | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | - | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | INDUSTRIAL | - | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
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