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MB84VA2104-10

产品描述16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM
产品类别存储    存储   
文件大小174KB,共29页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB84VA2104-10概述

16M (x 8) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM

MB84VA2104-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明LBGA, BGA48,6X8,40
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间100 ns
其他特性SRAM IS ORGANISED AS 256K X 8
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度8
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量48
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA48,6X8,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm

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FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS05-50108-1E
MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM
CMOS
16M (× 8) FLASH MEMORY &
1M (× 8) STATIC RAM
MB84VA2104
-10
/MB84VA2105
-10
s
FEATURES
• Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V
• High performance
100 ns maximum access time
• Operating Temperature
–20 to +85°C
— FLASH MEMORY
• Minimum 100,000 write/erase cycles
• Sector erase architecture
One 16 K byte, two 8 K bytes, one 32 K byte, and thirty one 64 K bytes.
Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.
• Boot Code Sector Architecture
MB84VA2104: Top sector
MB84VA2105: Bottom sector
• Embedded Erase
TM
Algorithms
Automatically pre-programs and erases the chip or any sector
• Embedded Program
TM
Algorithms
Automatically writes and verifies data at specified address
• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion
• Ready-Busy output (RY/BY)
Hardware method for detection of program or erase cycle completion
• Automatic sleep mode
When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode.
• Low V
CC
write inhibit
2.5 V
• Erase Suspend/Resume
Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device
Please refer to "MBM29LV160T/B" data sheet in detailed function
— SRAM
• Power dissipation
Operating : 35 mA max.
Standby : 30
µA
max.
• Power down features using CE1s and CE2s
• Data retention supply voltage: 2.0 V to 3.6 V
Embedded Erase
TM
and Embedded Program
TM
are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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