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MB84VA2106: 产品描述16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM; 文件大小179KB，共29页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MB84VA2106概述

16M (x16) FLASH MEMORY & 1M (x 8) STATIC RAM

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-50109-1E

MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM

CMOS

16M (×16) FLASH MEMORY &

1M (× 8) STATIC RAM

MB84VA2106

-10

/MB84VA2107

-10

FEATURES

• Power supply voltage of 2.7 to 3.6 V

• High performance

100 ns maximum access time

• Operating Temperature

–20 to +85°C

— FLASH MEMORY

• Minimum 100,000 write/erase cycles

• Sector erase architecture

One 8 K word, two 4 K words, one 16 K word, and thirty one 32 K words.

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase.

• Boot Code Sector Architecture

MB84VA2106: Top sector

MB84VA2107: Bottom sector

• Embedded Erase

Algorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program

Algorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready-Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode.

• Low V

write inhibit

≤

2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

Please refer to "MBM29LV160T/B" data sheet in detailed function

— SRAM

• Power dissipation

Operating : 35 mA max.

Standby : 30

µA

max.

• Power down features using CE1s and CE2s

• Data retention supply voltage: 2.0 V to 3.6 V

Embedded Erase

and Embedded Program

are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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