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UFZT655TC

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB,共2页
制造商Diodes Incorporated
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UFZT655TC概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

UFZT655TC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

UFZT655TC相似产品对比

UFZT655TC
描述 Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
厂商名称 Diodes Incorporated
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A
集电极-发射极最大电压 150 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20
JESD-30 代码 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz
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