Direct Rambus DRAM RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ELPIDA |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184,40 |
| 针数 | 184 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最长访问时间 | 1.56 ns |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 |
| 内存密度 | 2415919104 bi |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 184 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 128MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM184,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| MC-4R256FKE8D-653 | MC-4R256FKE8D-845 | MC-4R256FKE8D-745 | MC-4R256FKE8D | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Direct Rambus DRAM RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) | Direct Rambus DRAM RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) | Direct Rambus DRAM RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) | Direct Rambus DRAM RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - |
| 厂商名称 | ELPIDA | ELPIDA | ELPIDA | - |
| 零件包装代码 | DMA | DMA | DMA | - |
| 包装说明 | DIMM, DIMM184,40 | DIMM, DIMM184,40 | DIMM, DIMM184,40 | - |
| 针数 | 184 | 184 | 184 | - |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | - |
| 最长访问时间 | 1.56 ns | 1.56 ns | 1.56 ns | - |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH | SELF CONTAINED REFRESH | SELF CONTAINED REFRESH | - |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 600 MHz | 800 MHz | 711 MHz | - |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | - |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | R-XDMA-N184 | - |
| 内存密度 | 2415919104 bi | 2415919104 bi | 2415919104 bi | - |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE | RAMBUS DRAM MODULE | RAMBUS DRAM MODULE | - |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | - |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 184 | 184 | 184 | - |
| 字数 | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | - |
| 字数代码 | 128000000 | 128000000 | 128000000 | - |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - |
| 组织 | 128MX18 | 128MX18 | 128MX18 | - |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - |
| 封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | - |
| 封装等效代码 | DIMM184,40 | DIMM184,40 | DIMM184,40 | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | 225 | 225 | - |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | 1.8/2.5,2.5 V | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 自我刷新 | YES | YES | YES | - |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V | 2.63 V | 2.63 V | - |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V | 2.37 V | 2.37 V | - |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | - |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | - |
| 技术 | MOS | MOS | MOS | - |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | - |
| 端子节距 | 1 mm | 1 mm | 1 mm | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
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