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MC-4R256FKE8S-845

产品描述Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT)
产品类别存储    存储   
文件大小126KB,共14页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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MC-4R256FKE8S-845概述

Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT)

MC-4R256FKE8S-845规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM160,25
针数160
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N160
内存密度2415919104 bi
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度18
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量160
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织128MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM160,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术MOS
端子形式NO LEAD
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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描述 Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT)
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