Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ELPIDA |
零件包装代码 | DMA |
包装说明 | DIMM, DIMM160,25 |
针数 | 160 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 |
内存密度 | 2415919104 bi |
内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE |
内存宽度 | 18 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 160 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
组织 | 128MX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM160,25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | MOS |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.635 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
MC-4R256FKE8S-845 | MC-4R256FKE8S | |
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描述 | Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) | Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT) |
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