Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module 256M-BYTE (128M-WORD x 18-BIT)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ELPIDA |
| 零件包装代码 | DMA |
| 包装说明 | DIMM, DIMM160,25 |
| 针数 | 160 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 其他特性 | SELF CONTAINED REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 |
| 内存密度 | 2415919104 bi |
| 内存集成电路类型 | RAMBUS DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 160 |
| 字数 | 134217728 words |
| 字数代码 | 128000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 组织 | 128MX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装等效代码 | DIMM160,25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 0.635 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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